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壓敏電阻采購(gòu)，就選源林電子，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，滿足個(gè)性化需求
ＺｎＯ 壓敏電阻的微觀結(jié)構(gòu)分析發(fā)現(xiàn)，形成的四個(gè)主要 成分是 ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富 Ｂｉ 相（圖 ３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現(xiàn)有技術(shù)尚不 易檢測(cè)出來(lái)的其它次要相。 ＺｎＯ 壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ 之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長(zhǎng)，而?。裕椋希病?和 ＢａＯ 則加速晶粒長(zhǎng)大。尖晶石和焦綠石相對(duì)晶粒長(zhǎng)大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時(shí)起作用，而尖晶石相在高溫 時(shí)有利。當(dāng)用鹽酸浸蝕晶粒時(shí)，中間相呈現(xiàn)出在電性上絕 緣的三維網(wǎng)絡(luò)。 燒結(jié)形成的 ＺｎＯ 晶粒是?。冢睿稀好綦娮璧幕緲?gòu)成單純?。冢睿稀∈蔷哂芯€性 Ｉ－Ｕ 特性的非化學(xué)計(jì)量?。睢⌒桶雽?dǎo) 體。進(jìn)入 ＺｎＯ 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類(lèi)施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類(lèi)受主缺陷支配著晶粒邊界狀態(tài)。相關(guān)的缺陷類(lèi) 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅
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氧化鋅壓敏電阻器已廣泛應(yīng)用于過(guò)電壓保護(hù)、浪涌吸收、過(guò)電流泄放等方面,是防護(hù)電氣電子設(shè)備因受雷電閃擊及其他瞬態(tài)電磁干擾造成傳導(dǎo)過(guò)電壓危害的有效器件,它的性能直接影響安全保護(hù)效果。因氧化鋅壓敏電阻在系統(tǒng)或設(shè)備運(yùn)行中必然存在老化劣化現(xiàn)象,
故必須對(duì)其進(jìn)行定期檢測(cè),以防止老化劣化產(chǎn)品仍工作在系統(tǒng)或設(shè)備中。然而,目前檢測(cè)方法所判定的壓敏電壓U1mA和漏電流I
leakage兩個(gè)參數(shù)都存在拐點(diǎn)效應(yīng),即只有當(dāng)MOV劣化到一定程度后,U1mA和Ileakage才會(huì)出現(xiàn)顯著變化;而在這個(gè)拐點(diǎn)之前U1mA和
Ileakage都符合SJ/T10349-93測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)的要求[8],這就給檢測(cè)結(jié)果帶來(lái)不確定性。某個(gè)產(chǎn)品自身已經(jīng)老化劣化到一定程度需要及時(shí)更換,但U1mA和Ileakage檢測(cè)值仍然合格。
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限制電壓比
限制電壓比是指在通流能力實(shí)驗(yàn)中通過(guò)特定電流時(shí)加在壓敏電阻器兩端的電壓Up與壓敏電壓U1mA的比值。它體現(xiàn)了壓敏電阻器在大電流通過(guò)時(shí)的非線性特性，限制電壓比越小，越能起到保護(hù)電路的作用。通流值和限制電壓比一同反映了壓敏電阻工作特性的好壞，即是壓敏電阻通流值越大越能吸收浪涌電流，限制電壓比越小，分流作用就越明顯，保護(hù)特性就越好。
源林電子是一家專(zhuān)業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)壓敏電阻的高科技電子元器件企業(yè)。主營(yíng)壓敏電阻、熱敏電阻和溫度傳感器，自有研發(fā)團(tuán)隊(duì)，廠家直銷(xiāo)！
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